Виривання електронів за межі матеріалу при опроміненні його квантами світла. 

Для напівпровідників важливим є і внутрішній фотоефект - перехід електронів з валентної зони в зону провідності (поява відразу двох носіїв заряду - електрона та дирки) при опроміненні Н/П квантами світла.