Контакт напівпровідників n- та p-типу з металом М також може приводити до збіднення основними  носіями заряду області напівпровідника та виникнення в ньому запорного прошарку і односторонньої провідності, якщо виконуються наступні умови для робіт виходу А_вих  з цих матеріалів. Для контакту М -  n : А_вихМ > А_вихn ; для контакту М -  р : А_вихМ < А_вихр. Такі контакти застосовують в діодах Шотткі та уніполярних транзисторах.