Контакт напівпровідників n- та p-типу завжди супроводжується процесами дифузії та  рекомбінації основних носіїв заряду, так що виникає контактна область, збіднена основними носіями заряду (запорний прошарок). Такий контакт завжди має односторонню провідність, що використовується в напівпровідникових діодах.