Тема №7. Ключові елементи на біполярних і уніполярних транзисторах

3.2. Ключі на МДН-транзисторах з динамічним навантаженням

Такі ключі поширені в інтегральній схемотехніці, коли фор­мування структури транзистора замість резистора не викликає додаткових труднощів. Схема такого ключа показано на рис. 5.11, а.

У транзисторі VT2 затвор з’єднаний зі стоком, що забезпечує його роботу на пологій ділянці вихідної характеристики.

Він являє собою нелінійний резистор навантаження. Цей транзистор виконує ту саму роль, що і резистор R_D у схемі рис. 5.9, а. Принцип дії та часові параметри таких ключів істотно не відрізняються від ключів з резистивним навантаженням. Зазначимо, що в такій схемі використовують транзистори з каналами одного типу провідності.