Тема 5. Моделі компонентів електронних кіл
2. Схема заміщення напівпровідникового діода
Схема заміщення напівпровідникового діода зображена на рис.3.30.
![](https://org2.knuba.edu.ua/pluginfile.php/66498/mod_book/chapter/221/m12.jpg)
Рис. 3.30. Схема заміщення напівпровідникового діода
Нелінійний резистор на рис.3.30 моделює активний опір р-п – переходу, його ВАХ визначається співвідношенням (3.1). Сумарні об’ємні опори р і п областей напівпровідника на цій самій схемі відображено за допомогою лінійного резистора R.
Ємність р-п – переходу тут відображено за допомогою двох конденсаторів:
– Сбар моделює бар’єрну ємність, яка нелінійно залежить від напруги на діоді
, (3.39)
– Сдиф моделює дифузійну ємність р-п – переходу, що визначається формулою
. (3.40)
У (3.39) та (3.40) позначено:
фт – тепловий потенціал р-п – переходу,
т – середній час життя носіїв заряду,
u – зовнішня напруга, прикладена до р-п – переходу,
i – прямий струм, що протікає через р-п – перехід.
Індуктивність та ємність виводів відображають відповідно котушка L та конденсатор CB. Останні параметри доцільно враховувати лише для високочастотних діодів.