Тема 5. Моделі компонентів електронних кіл

2. Схема заміщення напівпровідникового діода

Схема заміщення напівпровідникового діода зображена на рис.3.30.

Рис. 3.30. Схема заміщення напівпровідникового діода

 

            Нелінійний резистор на рис.3.30 моделює активний опір р-п – переходу, його ВАХ визначається співвідношенням (3.1). Сумарні об’ємні опори р і п областей напівпровідника на цій самій схемі відображено за допомогою лінійного резистора R.

            Ємність р-п – переходу тут відображено за допомогою двох конденсаторів:

             – Сбар моделює бар’єрну ємність, яка нелінійно залежить від напруги на діоді

                                                       ,               (3.39)

 – Сдиф моделює дифузійну ємність р-п – переходу, що визначається формулою

                                                              .                           (3.40)

У (3.39) та (3.40) позначено:

фт – тепловий потенціал р-п – переходу,

т – середній час життя носіїв заряду,

u – зовнішня напруга, прикладена до р-п – переходу,

i – прямий струм, що протікає через р-п – перехід.

Індуктивність та ємність виводів відображають відповідно котушка L та конденсатор CB. Останні параметри доцільно враховувати лише для високочастотних діодів.