Тема 5. Моделі компонентів електронних кіл

Схема заміщення напівпровідникового діода зображена на рис.3.30.

Рис. 3.30. Схема заміщення напівпровідникового діода

            Нелінійний резистор на рис.3.30 моделює активний опір р-п – переходу, його ВАХ визначається співвідношенням (3.1). Сумарні об’ємні опори р і п областей напівпровідника на цій самій схемі відображено за допомогою лінійного резистора R.

            Ємність р-п – переходу тут відображено за допомогою двох конденсаторів:

             – Сбар моделює бар’єрну ємність, яка нелінійно залежить від напруги на діоді

                                                       ,               (3.39)

 – Сдиф моделює дифузійну ємність р-п – переходу, що визначається формулою

                                                              .                           (3.40)

У (3.39) та (3.40) позначено:

фт – тепловий потенціал р-п – переходу,

т – середній час життя носіїв заряду,

u – зовнішня напруга, прикладена до р-п – переходу,

i – прямий струм, що протікає через р-п – перехід.

Індуктивність та ємність виводів відображають відповідно котушка L та конденсатор CB. Останні параметри доцільно враховувати лише для високочастотних діодів.